在PN結中，由于自由電子的擴散運動和內(nèi)電場導致的漂移運動，PN結中間的部位（P...在PN結中，由于自由電子的擴散運動和內(nèi)電場導致的漂移運動，PN結中間的部位（P區(qū)和N區(qū)交界面）會產(chǎn)生一個很薄的電荷區(qū)，這就是空間電荷區(qū)。
KNY3303A場效應管采用先進的平面條形DMOS技術生產(chǎn)，漏源擊穿電壓30V，漏極電流...KNY3303A場效應管采用先進的平面條形DMOS技術生產(chǎn)，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，低導通電阻RDS(on)=3.1mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗，提供卓越的開關...
與門（AND gate）?：符號為“∧”或“&”，真值表顯示只有當所有輸入為1時，輸...與門（AND gate）?：符號為“∧”或“&”，真值表顯示只有當所有輸入為1時，輸出才為1。 ?或門（OR gate）?：符號為“∨”或“|”，真值表顯示只要有一個輸入...
圖1是正激式變壓器開關電源的簡單工作原理圖，圖1中Ui是開關電源的輸入電壓，T...圖1是正激式變壓器開關電源的簡單工作原理圖，圖1中Ui是開關電源的輸入電壓，T是開關變壓器，K是控制開關，L是儲能濾波電感，C是儲能濾波電容，D2是續(xù)流二極管，D...
KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，低導通電阻RDS(on)=7.5mΩ，最...KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流70A，低導通電阻RDS(on)=7.5mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖、100%雪崩測...
