20n50參數及代換,20a500vmos管,KNH7150A參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-09
KNH7150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，采用專有新平面技術，低導通電阻RDS(開啟) 0.24，最小化開關損耗；具有低柵極電荷、快恢復體二極管，高效低耗、穩定可靠，是一款性能出色的器件，7150場效應管在適配器充電器、開關電源、液晶面板電源應用中表現出色，可與20N50場效應管代換使用，封裝形式：TO-3P。
漏源電壓：20V
漏極電流：500A
柵源電壓：±30V
雪崩能量單脈沖：1500MJ
總功耗：275W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：65nC
輸入電容：2650pF
輸出電容：255pF
反向轉移電容：34pF
開通延遲時間：34nS
關斷延遲時間：164nS
上升時間：76ns
下降時間：85ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
