鋰電池保護板專用MOS管KND2803S漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導(dǎo)通電阻...鋰電池保護板專用MOS管KND2803S漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟)2.1mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%...
MOS管的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的...MOS管的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。
合上電源開關(guān)Q，按下正向起動按鈕SB2,接觸器KM1的線圈通電并吸合，其主觸點閉合...合上電源開關(guān)Q，按下正向起動按鈕SB2,接觸器KM1的線圈通電并吸合，其主觸點閉合，常開輔助觸點閉合自鎖，電動機M正向旋轉(zhuǎn)。同時KM1的常閉輔助觸點斷開，避免接觸器...
KNY2803S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1....KNY2803S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改...
在PFC電路中，MOSFET損耗約占總損耗的20%左右。通過選擇正確的器件，PFC效率能...在PFC電路中，MOSFET損耗約占總損耗的20%左右。通過選擇正確的器件，PFC效率能夠得到大幅提升。為PFC電路選擇合適MOSFET器件的一種方法是使用針對特定應(yīng)用的品質(zhì)因...
