LED電源專用MOS管KNP2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術...LED電源專用MOS管KNP2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，極低的導通電阻RDS(開啟) 10mΩ；卓越的低Rds開啟、低柵極電荷，最大限度地減少導...
確定電路中可能出現的最大電壓。MOS管的VDSS應大于電路中的最大電壓，一般要留...確定電路中可能出現的最大電壓。MOS管的VDSS應大于電路中的最大電壓，一般要留出一定的余量，通常為電路最大電壓的1.5倍至 2倍，以確保在任何情況下MOS管都不會被...
MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高...MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓...
2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；高密度單元設計，極低的導通電...2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；高密度單元設計，極低的導通電阻RDS(開啟)，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；?2306mos管具有低導通電阻、高開...
VT1和VT2構成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器...VT1和VT2構成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器由穩壓管VD1穩壓后供電。多諧振蕩器輸出輸出的方波電壓，直接推動VMOS大功率管，經變...
