負(fù)壓產(chǎn)生的原因：當(dāng)上管關(guān)斷下管導(dǎo)通的過程中，由于輸出電感電流不能突變的特性...負(fù)壓產(chǎn)生的原因：當(dāng)上管關(guān)斷下管導(dǎo)通的過程中，由于輸出電感電流不能突變的特性 ，上管電流減小，下管電流增加，下管回路的寄生電感會(huì)感應(yīng)出下正上負(fù)的電壓，下為...
啟動(dòng)電流是指電器設(shè)備（感性負(fù)載）在剛啟動(dòng)時(shí)的沖擊電流，是電機(jī)或感性負(fù)載通電...啟動(dòng)電流是指電器設(shè)備（感性負(fù)載）在剛啟動(dòng)時(shí)的沖擊電流，是電機(jī)或感性負(fù)載通電瞬間到運(yùn)行平穩(wěn)的短暫時(shí)間內(nèi)的電流變化量，這個(gè)電流一般是額定電流的4-7倍，國(guó)家規(guī)...
上面的圖給出了啟動(dòng)時(shí)功率MOSFET前五個(gè)開關(guān)波形。在變換器啟動(dòng)開始前，諧振電容...上面的圖給出了啟動(dòng)時(shí)功率MOSFET前五個(gè)開關(guān)波形。在變換器啟動(dòng)開始前，諧振電容和輸出電容剛好完全放電。與正常工作狀況相比，在啟動(dòng)過程中，這些空電容會(huì)使低端開...
堆疊MOSFET在現(xiàn)代模擬設(shè)計(jì)中非常常見，但并不是沒有問題。其主要問題是電容增加...堆疊MOSFET在現(xiàn)代模擬設(shè)計(jì)中非常常見，但并不是沒有問題。其主要問題是電容增加以及面積更大。電容增加很大程度上是由于器件周圍的互連增加。總柵極面積和總柵極電...
在理想運(yùn)算放大器的情況下，當(dāng)輸入電壓 (V i ) 為 0 V時(shí)，V IN(+)和 V IN(-)端...在理想運(yùn)算放大器的情況下，當(dāng)輸入電壓 (V i ) 為 0 V時(shí)，V IN(+)和 V IN(-)端子的直流電壓完全匹配。 然而，實(shí)際上存在以下差異V IN(+)和 V IN(-)端子之間的輸入...
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