反向擊穿（Reverse Bias Breakdown）：當在MOS管的柵極和源/漏極之間施加反向電...反向擊穿（Reverse Bias Breakdown）：當在MOS管的柵極和源/漏極之間施加反向電壓時，電場強度可能足夠大，使氧化層內的電子能夠穿越氧化層，形成導通通道，導致漏...
CMOS電平是在CMOS邏輯電路中用來表示邏輯狀態的一種電壓水平。CMOS電路利用NMO...CMOS電平是在CMOS邏輯電路中用來表示邏輯狀態的一種電壓水平。CMOS電路利用NMOS和PMOS這兩種互補類型的半導體材料來實現邏輯功能。1邏輯電平電壓接近于電源電壓，...
X電容是跨接在電力線兩線之間，即“L-N”之間，X電容器能夠抑制差模干擾，通常...X電容是跨接在電力線兩線之間，即“L-N”之間，X電容器能夠抑制差模干擾，通常采取金屬化薄膜電容器，電容容量是uF級。X電容多數是方型，也就是類似于盒子的形狀，...
開關電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電...開關電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過欠壓保護電路、輸出過欠...
MOS管的GIDL效應是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區域會發生漏電現...MOS管的GIDL效應是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區域會發生漏電現象的現象。這種現象是由于高電場導致絕緣層中的電子發生穿隧效應，從而形成漏電流。...
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