LDO外圍器件少，電路簡單，成本低；DC-DC外圍器件多，電路復雜，成本高； LDO...LDO外圍器件少，電路簡單，成本低；DC-DC外圍器件多，電路復雜，成本高； LDO負載響應快，輸出紋波小；DC-DC負載響應比LDO慢，輸出紋波大； LDO效率低，輸入輸出...
當MOS關斷時，諧振電壓波形在B點產(chǎn)生電壓尖峰，此時UB高于UA（初始時刻電容C兩...當MOS關斷時，諧振電壓波形在B點產(chǎn)生電壓尖峰，此時UB高于UA（初始時刻電容C兩端無電壓差），則UB通過二極管D向電容C充電。Uds電壓升高的本質是初級繞組漏感瞬變電...
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高...碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。碳化硅器件有更耐高壓，在開關頻率、散熱能力...
在環(huán)路設計時，Loop1、2、3的環(huán)路面積要盡量小，在Loop1中，走線還應盡量粗以優(yōu)...在環(huán)路設計時，Loop1、2、3的環(huán)路面積要盡量小，在Loop1中，走線還應盡量粗以優(yōu)化效率，在Loop3中，VDD電容C3應緊貼芯片。 在GND走線設計時，輔助繞組應直接連接...
設計補償部分，先確定目標帶寬，然后再設計補償部分，使在目標帶寬時的相位裕量...設計補償部分，先確定目標帶寬，然后再設計補償部分，使在目標帶寬時的相位裕量大于45°，幅值裕度不管用上面哪種補償方式都是自動滿足的，所以設計時一般不用特別...
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