KIA3204A場效應(yīng)管采用超高密度電池設(shè)計(jì)，漏源擊穿電壓40V，漏極電流100A，超低...KIA3204A場效應(yīng)管采用超高密度電池設(shè)計(jì)，漏源擊穿電壓40V，漏極電流100A，超低導(dǎo)通電阻，RDS（開啟）=3.8 mΩ@VGS=10V，減小損耗；100%雪崩測試、無鉛和綠色器件可...
以此作為單結(jié)晶體管電源，其目的是使單結(jié)晶體管振蕩器在每個(gè)梯形波結(jié)束時(shí)刻，由...以此作為單結(jié)晶體管電源，其目的是使單結(jié)晶體管振蕩器在每個(gè)梯形波結(jié)束時(shí)刻，由于電源電壓為零，使電容上電壓亦為零，在下一個(gè)梯形波開始時(shí)刻，電容c均是從零壓開...
單結(jié)晶體管（UJT）又稱基極二極管，只有一個(gè)PN結(jié)作為發(fā)射極而有兩個(gè)基極的三端...單結(jié)晶體管（UJT）又稱基極二極管，只有一個(gè)PN結(jié)作為發(fā)射極而有兩個(gè)基極的三端半導(dǎo)體器件，早期稱為雙基極二極管。其典型結(jié)構(gòu)是以一個(gè)均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶...
上拉電阻的目的是為了保證GPIO（低電平有效）無信號輸入時(shí)輸入端的電平為高電平...上拉電阻的目的是為了保證GPIO（低電平有效）無信號輸入時(shí)輸入端的電平為高電平，相反的，下拉電阻是為了保證GPIO（高電平有效）無信號輸入時(shí)輸入端的電平為低電平...
MOS管是單載流子（“多數(shù)載流子”）參與導(dǎo)電的器件，是單極型晶體管。在MOSFET...MOS管是單載流子（“多數(shù)載流子”）參與導(dǎo)電的器件，是單極型晶體管。在MOSFET中，當(dāng)施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，多數(shù)載流子（電子或空穴，取決于半導(dǎo)體類型）在半導(dǎo)體表面...
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