nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ(2φF/Cox),其中Vt0為晶體管的基礎閾值...nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ(2φF/Cox),其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓,γ為晶體管的偏置系數,φF為晶體管的反向偏置電勢,Cox為晶體管的歐姆容量。...
在CMOS器件工藝中,當導電溝道長度降低到十幾納米,甚至幾納米量級時,晶體管出...在CMOS器件工藝中,當導電溝道長度降低到十幾納米,甚至幾納米量級時,晶體管出現一些效應。這些效應主要包括閾值電壓Vth隨著溝道長度降低而降低,載流子表面散射...
當P型半導體和N型半導體接合在一起時,由于P型半導體中的空穴濃度較高,而N型半...當P型半導體和N型半導體接合在一起時,由于P型半導體中的空穴濃度較高,而N型半導體中的電子濃度較高,因此會形成擴散運動,并且P型半導體中的空穴將向其濃度較低...
對pn結施加的反向偏壓增大到某一數值VBR時,反向電流密度突然開始迅速增大的現...對pn結施加的反向偏壓增大到某一數值VBR時,反向電流密度突然開始迅速增大的現象稱為pn結擊穿。發生擊穿時的反向電壓稱為pn結的擊穿電壓。 PN結的擊穿主要分為三...
當摻雜濃度較高時,單位長度區域內的載流子數量更多,離子數量也更多。這使得在...當摻雜濃度較高時,單位長度區域內的載流子數量更多,離子數量也更多。這使得在較少的單位長度內就能建立起“一定強度的內電場”,使得PN結進入動態平衡階段(寬度...