nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值...nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。...
在CMOS器件工藝中，當導電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時，晶體管出...在CMOS器件工藝中，當導電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級時，晶體管出現一些效應。這些效應主要包括閾值電壓Vth隨著溝道長度降低而降低，載流子表面散射...
當P型半導體和N型半導體接合在一起時，由于P型半導體中的空穴濃度較高，而N型半...當P型半導體和N型半導體接合在一起時，由于P型半導體中的空穴濃度較高，而N型半導體中的電子濃度較高，因此會形成擴散運動，并且P型半導體中的空穴將向其濃度較低...
對pn結施加的反向偏壓增大到某一數值VBR時，反向電流密度突然開始迅速增大的現...對pn結施加的反向偏壓增大到某一數值VBR時，反向電流密度突然開始迅速增大的現象稱為pn結擊穿。發生擊穿時的反向電壓稱為pn結的擊穿電壓。 PN結的擊穿主要分為三...
當摻雜濃度較高時，單位長度區域內的載流子數量更多，離子數量也更多。這使得在...當摻雜濃度較高時，單位長度區域內的載流子數量更多，離子數量也更多。這使得在較少的單位長度內就能建立起“一定強度的內電場”，使得PN結進入動態平衡階段（寬度...
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