耗盡區寬度計算公式,耗盡區寬度與摻雜濃度關系-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-12
內建電場公式：
對耗盡區電場進行積分，可得到內建電勢Vbi
對于單邊突變結，PN結一側的摻雜濃度遠高于另一側時，如P+N結
耗盡層主要分布在低摻雜一側，同時內建電場峰值取決于低摻雜一側的雜質濃度。
?耗盡區寬度與摻雜濃度的關系是：高摻雜濃度導致耗盡區寬度變窄，而低摻雜濃度則導致耗盡區寬度變寬。
原理主要涉及到半導體物理中的擴散和漂移現象，以及它們如何影響耗盡區的形成。
擴散與漂移現象：
在半導體中，摻雜是指通過引入雜質原子來改變材料的導電性質。這些雜質原子可以提供額外的電荷載體（電子或空穴），從而影響材料的導電性。
擴散是指電荷載體（電子或空穴）從高濃度區域向低濃度區域的運動。在?PN結中，這種擴散作用會導致耗盡區的形成。
漂移則是指電荷載體在電場作用下的定向運動。在耗盡區內，由于存在內建電場，少數載流子（電子或空穴）會受到電場的作用而發生漂移運動。
耗盡區寬度的變化：
當摻雜濃度較高時，單位長度區域內的載流子數量更多，離子數量也更多。這使得在較少的單位長度內就能建立起“一定強度的內電場”，使得PN結進入動態平衡階段（寬度不再發生變化），因此耗盡區寬度變窄。
相反，當摻雜濃度較低時，單位長度區域內的載流子數量更少，離子數量也更少。這需要更多的單位長度才能建立起相同的內電場，使得PN結進入動態平衡階段，因此耗盡區寬度變寬。
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