白天在較強光照下,光導(dǎo)管227A(一種光敏電阻)兩端阻值很小,約20~50kΩ;,晶...白天在較強光照下,光導(dǎo)管227A(一種光敏電阻)兩端阻值很小,約20~50kΩ;,晶體管VT2獲得基極電流而導(dǎo)通,VT1從R2上得到正偏電壓也導(dǎo)通,繼電器線圈KA得電,繼電...
KIA2N60HP場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V,漏極電流2A,低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.1Ω,...KIA2N60HP場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V,漏極電流2A,低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.1Ω,最大限度地減少導(dǎo)電損耗;具有低柵極電荷(典型值9nC)、高耐用性、快速切換能力,...
SMA封裝(DO-214AC) 尺寸4.5×2.5mm,引腳間距1.27mm,高度僅1.1mm,采用扁平...SMA封裝(DO-214AC) 尺寸4.5×2.5mm,引腳間距1.27mm,高度僅1.1mm,采用扁平矩形結(jié)構(gòu),引腳呈鷗翼型(J形)。 2. SMB封裝(DO-214AA) 尺寸4.5×3.5mm,引腳...
表面貼裝式是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式...表面貼裝式是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有:晶體管外形(D-PAK)、小外形晶體管(SOT)、小外形封裝(SOP)等。
KIA100N03AD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流為90A,采用KIA半導(dǎo)體的先進(jìn)平面...KIA100N03AD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流為90A,采用KIA半導(dǎo)體的先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)制造,極低?RDS(on)=3.3mΩ,最小化通態(tài)電阻,提供了優(yōu)越的開關(guān)性能;...