MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大...MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大時，MOS管導通速度過慢，即Rds的減小要經過一段時間，高壓時Rds會消耗大量功率，導...
KIA12N65H N溝道增強型MOSFET；12N65參數650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效...KIA12N65H N溝道增強型MOSFET；12N65參數650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效應管中文資料規格書12N65引腳圖
這些N溝道增強模式的功率場效應晶體管是用KIA半導體制造的專有、平面、DMOS技術...這些N溝道增強模式的功率場效應晶體管是用KIA半導體制造的專有、平面、DMOS技術。這項先進的技術經過了特別的調整，以使其最小化通態電阻，提供優越的開關性能，并...
MOSFET的失效很多都是由于過熱導致的，那么在選件選型，電路設計及PCB布局時就...MOSFET的失效很多都是由于過熱導致的，那么在選件選型，電路設計及PCB布局時就要格外注意應用情況和設計余量，確保MOSFET的Tj不會超過其最大值。
總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時，器件達到最大結點溫度時...總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時，器件達到最大結點溫度時所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot來表達，節點溫度才是最終的MOSFET是否...
如果可以把電流始終限制在I_SET以下，可以去掉限流電阻，讓電流保持略小于I_SE...如果可以把電流始終限制在I_SET以下，可以去掉限流電阻，讓電流保持略小于I_SET，快速充電。如下圖，電流曲線的積分為V_CL，左右兩圖的陰影面積大小相同，可以看出...
