MOSFET具備控制功率小、開關速度快的特點，廣泛應用于低中高壓的電路中，是功率...MOSFET具備控制功率小、開關速度快的特點，廣泛應用于低中高壓的電路中，是功率半導體的基礎器件。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅動系統中的變速箱控...
變頻器也稱為變頻驅動器或驅動控制器，是可調速驅動系統的一種，是應用變頻驅動...變頻器也稱為變頻驅動器或驅動控制器，是可調速驅動系統的一種，是應用變頻驅動技術改變交流電動機工作電壓的頻率和幅度，來平滑控制交流電動機速度及轉矩。
根據失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發IGBT芯片失...根據失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負載波動、驅動或控制電路故障、散熱裝置故障、線路短路等...
雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質是不同，使得N溝道MOS管是通過電子形成電流溝...雖然芯片都是硅基，但是摻雜的材質是不同，使得N溝道MOS管是通過電子形成電流溝道；P溝道MOS管是用空穴流作為載流子。
?KNX2906B 60V130A HY3306參數代換-產品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進技術...?KNX2906B 60V130A HY3306參數代換-產品描述 該功率MOSFET采用KIA的先進技術生產。該技術使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速開關時間，低導通電阻，低柵電荷...
region：MOS管的工作區域，可能值為 0~4，分別對應：0： 關斷；1： 線性區；2：...region：MOS管的工作區域，可能值為 0~4，分別對應：0： 關斷；1： 線性區；2： 飽和區；3： 亞閾值區；4： 擊穿
