場(chǎng)效應(yīng)管可使用于縮小.因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管縮小器的輸出阻抗很高,因而嚙合庫容能夠定量...場(chǎng)效應(yīng)管可使用于縮小.因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管縮小器的輸出阻抗很高,因而嚙合庫容能夠定量較小,無須運(yùn)用電解電料皿.即非金屬-氧化物-半超導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET(...
場(chǎng)效應(yīng)管可使用于縮小.因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管縮小器的輸出阻抗很高,因而嚙合庫容能夠定量...場(chǎng)效應(yīng)管可使用于縮小.因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管縮小器的輸出阻抗很高,因而嚙合庫容能夠定量較小,無須運(yùn)用電解電料皿.即非金屬-氧化物-半超導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET(...
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暨第五屆深圳國(guó)際嵌入式系統(tǒng)展,即將在8月24-26日深圳會(huì)展中心2/3/4號(hào)館舉行，展...暨第五屆深圳國(guó)際嵌入式系統(tǒng)展,即將在8月24-26日深圳會(huì)展中心2/3/4號(hào)館舉行，展號(hào)位：2C36
Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從...Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高...
由工業(yè)和信息化部、深圳市人民政府共同主辦的第四屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)（CITE ...由工業(yè)和信息化部、深圳市人民政府共同主辦的第四屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)（CITE 2016）于4月8日在深圳會(huì)展中心開幕。 秉承著“創(chuàng)新、智能、融合”的主...
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