N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si...N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負(fù)離子），故在UCs...
用測電阻法區(qū)分結(jié)型場效應(yīng)管的電極對VMOSV溝道增強型場效應(yīng)管丈量跨導(dǎo)性能時，...用測電阻法區(qū)分結(jié)型場效應(yīng)管的電極對VMOSV溝道增強型場效應(yīng)管丈量跨導(dǎo)性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就持平于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此...
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時刻。輸...Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時刻 td(on)：MOS導(dǎo)通延遲時刻，從有駛?cè)腚妷荷仙?..
向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容...向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路). Tf :下降時刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 9...
Mosfet參數(shù)意義闡明 Features: Vds： DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時，MOS的DS所...Mosfet參數(shù)意義闡明 Features: Vds： DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓 Rds(on)：DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻 Id：...
P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大...P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之...
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