mos在控制器電路中的工作狀態：開經過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態...mos在控制器電路中的工作狀態：開經過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開...
MOSFET按比例減少MOSFET尺寸的縮減在一開端即為一持續的趨向．在集成電路中，較...MOSFET按比例減少MOSFET尺寸的縮減在一開端即為一持續的趨向．在集成電路中，較小的器件尺寸可到達較高的器件密度，此外，較短的溝道長度町改善驅動電流（ID~1/L）...
當溝道的邊緣效應變得不可疏忽時，隨著溝道的縮減，n溝道MOSFET的閾值電壓通常...當溝道的邊緣效應變得不可疏忽時，隨著溝道的縮減，n溝道MOSFET的閾值電壓通常會變得不像原先那么正，而關于p溝道MOSFET而言，則不像原先那么負，圖6.23顯現了在V...
功率開關器件在電力電子設備中占領著中心位置，它的牢靠工作是整個安裝正常運轉...功率開關器件在電力電子設備中占領著中心位置，它的牢靠工作是整個安裝正常運轉的根本條件。功率開關器件的驅動電路是主電路與控制電路之間的接口，是電力電子安裝...
在CMOS中，阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde w...在CMOS中，阱可為單阱(single well)、雙阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).雙阱工藝有一些缺陷，如需高溫工藝（超越1 050℃）及長擴散時間（超越8h）來到...
為了構成集成電路電阻，可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上，然后運用圖形曝...為了構成集成電路電阻，可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上，然后運用圖形曝光技術和刻蝕定出其圖樣，也可以在生長于硅襯底上的熱氧化層上開窗，然后寫入（或是...
