DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個(gè)柵極的四端器件,兩個(gè)...DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個(gè)柵極的四端器件,兩個(gè)柵極都可以對(duì)溝道進(jìn)行控制,目的是為了控制的便利性與獨(dú)立性,尤其是有兩個(gè)控制量的...
MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來(lái)兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來(lái)兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖特基勢(shì)壘柵極(Schottky Gate FET)結(jié)構(gòu)(圖1.24)。就PN結(jié)的特性而言,與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET,垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET,垂直溝道,雙擴(kuò)散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
認(rèn)識(shí)電路中的VMOS,辨別引腳符號(hào)認(rèn)識(shí)電路中的VMOS,辨別引腳符號(hào)
?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強(qiáng)型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu),所...?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強(qiáng)型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu),所不同是,在常態(tài)下,它內(nèi)部的(導(dǎo)電)溝道是天生的。換言之,常態(tài)下的耗盡型MOSFET是...
在常態(tài)下,MOSFET中并沒(méi)有導(dǎo)電通道,在有了偏置電壓時(shí),在電場(chǎng)的作用下,源極(...在常態(tài)下,MOSFET中并沒(méi)有導(dǎo)電通道,在有了偏置電壓時(shí),在電場(chǎng)的作用下,源極(區(qū))與柵極(區(qū))之間就會(huì)形成導(dǎo)電通道,并且隨著偏置電壓的增加而加寬,導(dǎo)電能力增...