SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局...SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，...
MOS管雪崩電流解析：雪崩電流在MOS管的數(shù)據(jù)表中表示為IAV，雪崩能量代表功率MO...MOS管雪崩電流解析：雪崩電流在MOS管的數(shù)據(jù)表中表示為IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗過壓沖擊的能力。在調(diào)試過程中，選取一定的電感值，然后將電流增大，也就是功率...
trr是指快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，二極管在正向?qū)ǖ椒聪蜃钄噙^程中，會(huì)反...trr是指快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，二極管在正向?qū)ǖ椒聪蜃钄噙^程中，會(huì)反向流過電流，內(nèi)部載流子復(fù)合需要的時(shí)間就是trr。它的定義是：電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換...
MOS管500V9A，KIA4750規(guī)格參數(shù)-1、KIA4750產(chǎn)品特征，符合RoHS，RDS(on) = 0.7Ω...MOS管500V9A，KIA4750規(guī)格參數(shù)-1、KIA4750產(chǎn)品特征，符合RoHS，RDS(on) = 0.7Ω@VGS = 10 V，低柵電荷最小化開關(guān)損耗，快速恢復(fù)體二極管。 2、KIA4750適用范圍，...
上一篇講到阻抗概念，阻抗思維分析開關(guān)電路。今天我們來(lái)分析一下濾波電路。任何...上一篇講到阻抗概念，阻抗思維分析開關(guān)電路。今天我們來(lái)分析一下濾波電路。任何電路在經(jīng)過“等效處理”之后，都會(huì)被簡(jiǎn)化成“電源+阻容感”的模型，然后開始研究這...
阻抗概念：阻抗是電阻和電抗的統(tǒng)稱，電阻和電抗最大的差異在于電阻限流（歐姆定...阻抗概念：阻抗是電阻和電抗的統(tǒng)稱，電阻和電抗最大的差異在于電阻限流（歐姆定律）的同時(shí)會(huì)消耗電能。而電抗只限流，不消耗電能（不做功）。電阻在直流電和交流電...
