MOS管KNX3206A產(chǎn)品特征 1、RDS（ON）=6.5mΩ（類型）@VGS=10V 2、低RDS（ON)...MOS管KNX3206A產(chǎn)品特征 1、RDS（ON）=6.5mΩ（類型）@VGS=10V 2、低RDS（ON)以減小導(dǎo)電損耗 3、低門電荷在快速開關(guān)中的應(yīng)用 4、優(yōu)化的BVDSS性能
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者...mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都...
MOS管60V80A KNX3406A產(chǎn)品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供無鉛和綠色...MOS管60V80A KNX3406A產(chǎn)品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供無鉛和綠色設(shè)備 低無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)開啟，以減少傳導(dǎo)損耗 高雪崩電流
KIA半導(dǎo)體的KNX3706A產(chǎn)品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，它提供了優(yōu)良的RDS(ON)...KIA半導(dǎo)體的KNX3706A產(chǎn)品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，它提供了優(yōu)良的RDS(ON)和大多數(shù)同步降壓變換器應(yīng)用的柵極電荷。KNX3706A滿足RoHS和綠色產(chǎn)品的要求，100%EA...
KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數(shù)同步BUCK變換器...KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%的EAS保...
1、KIA2404A產(chǎn)品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度電池設(shè)計(jì)...1、KIA2404A產(chǎn)品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度電池設(shè)計(jì) 超低電阻 100%雪崩測試 無鉛和綠色設(shè)備可用（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）
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