KNX7115A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX...KNX7115A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX7115A能夠代換aod4454型號(hào)，在LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域熱銷，封裝形式：TO-252、TO-251。
KIA4810A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KI...KIA4810A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KIA4810A場(chǎng)效應(yīng)管100V 9A能夠代換AON6450型號(hào)，這種通用技術(shù)非常適合無(wú)線充、無(wú)人機(jī)方...
KIA4610A是采用先進(jìn)的高單元密度溝槽式N溝MOSFET，漏源擊穿電壓100V，漏極電流...KIA4610A是采用先進(jìn)的高單元密度溝槽式N溝MOSFET，漏源擊穿電壓100V，漏極電流7.5A，RDS(on)=16mΩ(typ)@VGS=10V，以低柵極電荷提供出色的RDS(ON)，降低開(kāi)關(guān)損耗、...
KIA3510A漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（打開(kāi)）=14mΩ（max）@VGS=10V，...KIA3510A漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（打開(kāi)）=14mΩ（max）@VGS=10V，具有低柵極-漏極電荷可降低開(kāi)關(guān)損耗、100%雪崩測(cè)試、可靠且堅(jiān)固、提供無(wú)鉛和綠色設(shè)備...
KIA6110是性能出色的溝槽N溝道MOSFET，先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓...KIA6110是性能出色的溝槽N溝道MOSFET，先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應(yīng)...
KPD8610A是一款P溝道MOSFET，采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓-100V，漏...KPD8610A是一款P溝道MOSFET，采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V，具有超低柵電荷、優(yōu)異的cdv/dt效應(yīng)降低等...
