在完結(jié)地圖規(guī)劃并經(jīng)工藝廠家流片后，能夠選用兩種辦法對(duì)芯片進(jìn)行功能、功能測(cè)驗(yàn)...在完結(jié)地圖規(guī)劃并經(jīng)工藝廠家流片后，能夠選用兩種辦法對(duì)芯片進(jìn)行功能、功能測(cè)驗(yàn)：一種辦法是直接鍵合到PCB（印制電路板）上，另一種辦法是經(jīng)過(guò)封裝廠家進(jìn)行封裝后...
增強(qiáng)型NMOS管的工作原理 ? ?當(dāng)NMOS管的柵極與源極短接（即NMOS管的柵／...增強(qiáng)型NMOS管的工作原理 ? ?當(dāng)NMOS管的柵極與源極短接（即NMOS管的柵／源電壓VGS=O）時(shí)，源區(qū)（N+型）、襯底(P型)和漏區(qū)(N+型)形成兩個(gè)背靠背的PN結(jié)，不管...
（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過(guò)程中，電流有逐漸增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層...（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過(guò)程中，電流有逐漸增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬，發(fā)生電流較大。另一方面，耗盡層展廣大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏...
快恢復(fù)二極管的最主要特點(diǎn)是它的反向恢復(fù)時(shí)間（trr)在幾百納秒(ns)以下，超快恢...快恢復(fù)二極管的最主要特點(diǎn)是它的反向恢復(fù)時(shí)間（trr)在幾百納秒(ns)以下，超快恢復(fù)二極管以致能抵達(dá)幾十納秒。反向恢復(fù)時(shí)間(trr)，它的定義是：電流經(jīng)過(guò)零點(diǎn)由正向...
當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸收電子的才能不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道呈現(xiàn)，vGS增...當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸收電子的才能不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道呈現(xiàn)，vGS增加時(shí)，吸收到P襯底外表層的電子就增加，當(dāng)vGS到達(dá)某一數(shù)值 時(shí)，這些電子在柵極左近...
1 功率管的展開 功率器件近年來(lái)曾經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在... 1 功率管的展開 功率器件近年來(lái)曾經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通訊范疇被普遍應(yīng)用的LDmos 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁...
