MOSFET的短溝道效應:當MOS晶體管的溝道長度小到可以和漏結及源結的耗盡層厚度相...MOSFET的短溝道效應:當MOS晶體管的溝道長度小到可以和漏結及源結的耗盡層厚度相比擬時,會出現一些不同于長溝道MOS管特性的現象,統稱為短溝道效應，它們歸因于在溝...
CMOS電路中的阱:在CMOS電路的工藝結構中,應用在襯底上形成反型的阱是一大特點。...CMOS電路中的阱:在CMOS電路的工藝結構中,應用在襯底上形成反型的阱是一大特點。已有的多種CMOS電路阱的類別,有p阱、n阱、雙阱及倒轉阱等(圖4-3-3)。CMOS電路中的阱...
MOS晶體管的最高頻率:MOS晶體管在工作頻率增高到一定值以后,它的特性就將隨著頻...MOS晶體管的最高頻率:MOS晶體管在工作頻率增高到一定值以后,它的特性就將隨著頻率的增高而變壞。MOS管的最高頻率,大家知道,MOS晶體管的溝道區隔著絕緣的氧化層,在...
結型場效應管基本放大器工作原理:我們知道,根據導電溝道的不同,結型場效應管有...結型場效應管基本放大器工作原理:我們知道,根據導電溝道的不同,結型場效應管有N溝道和P溝道之分。因此，結型場效應管基本放大器也分為N溝道結型場效應管基本放大器...
硅柵MOS結構詳細解析-硅柵MOS結構：在MOS-IC的早期產品中,廣泛使用金屬AI作為柵...硅柵MOS結構詳細解析-硅柵MOS結構：在MOS-IC的早期產品中,廣泛使用金屬AI作為柵極。例如上世紀60年代中期第一只MOS-IC即為p溝增強型A1柵器件。但隨著MOS-IC規模的...
MOS管電容特性-動態特性:從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小...MOS管電容特性-動態特性:從圖九可以看出功率管的寄生電容分布情況，電容的大小由功率管的結構,材料和所加的電壓決定。這些電容和溫度無關，所以功率管的開關速度對...
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