100V130A|KNX2910A中文資料-特性，RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V,超高密度電池設...100V130A|KNX2910A中文資料-特性，RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V,超高密度電池設計，超低導通電阻，100%雪崩測試，無鉛環保器件(符合RoHS標準)
MOS管保護電路實測，分析:功率MOS管自身擁有眾多優點，但是MOS管具有較脆弱的承...MOS管保護電路實測，分析:功率MOS管自身擁有眾多優點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應用場合，所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理...
PWM驅動MOS管H橋電路：H橋是一個典型的直流電機控制電路，因為它的電路形狀酷似...PWM驅動MOS管H橋電路：H橋是一個典型的直流電機控制電路，因為它的電路形狀酷似字母H，故得名與“H橋”。4個三極管組成H的4條垂直腿，而電機就是H中的橫杠（注意：...
華潤微CRSS042N10N參數|變頻器,鋰電池保護板專用-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET ...華潤微CRSS042N10N參數|變頻器,鋰電池保護板專用-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m?, 120A,CRSS042N10N參數-特性：使用CRM(CQ)先進的SkyMOS1技術,極低通阻...
CRSS037N10N（華潤微）大功率MOS|中文參數詳情-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 10...CRSS037N10N（華潤微）大功率MOS|中文參數詳情-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3mΩ, 120A,CRSS037N10N（華潤微）-產品特點：使用CRM(CQ)先進的SkyMOS1技術,...
NCE n通道超級溝槽II功率MOSFET-NCEP039N10D-描述：該系列設備使用超級戰壕II技...NCE n通道超級溝槽II功率MOSFET-NCEP039N10D-描述：該系列設備使用超級戰壕II技術，即獨特優化，提供最有效的高頻切換性能。傳導和開關電源由于極低的組合，損失最...
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