利用自舉升壓結構將上拉驅動管N4的柵極（B點）電位抬升，使得UB》VDD+VTH ，則...利用自舉升壓結構將上拉驅動管N4的柵極（B點）電位抬升，使得UB》VDD+VTH ，則NMOS管N4工作在線性區，使得VDSN4 大大減小，最終可以實現驅動輸出高電平達到VDD。而...
由 Vcc 供電的 LM386 使用電阻器 R1 和電容器 C2。這是為了防止電路振蕩。電阻...由 Vcc 供電的 LM386 使用電阻器 R1 和電容器 C2。這是為了防止電路振蕩。電阻R2和電容C3在上述電路中起著重要作用，因為它改變了輸出中獲得的輸出增益。增加一個...
增強型MOS管的工作原理基于柵源電壓（VGS）的控制。當柵源之間不加電壓時，漏源...增強型MOS管的工作原理基于柵源電壓（VGS）的控制。當柵源之間不加電壓時，漏源之間的PN結是反向的，因此不存在導電溝道，即使漏源之間加了電壓，也不會有電流通過...
導通狀態 增強型MOS管：需要外部正向偏置電壓才能導通。 耗盡型MOS管：在零門...導通狀態 增強型MOS管：需要外部正向偏置電壓才能導通。 耗盡型MOS管：在零門源電壓下即可導通。 關斷狀態 增強型MOS管：在關斷狀態下無載流子通道。 耗盡型...
OTL功放的形式：采用單電源，有輸出耦合電容。如圖所示電路中的R5（150kΩ）與...OTL功放的形式：采用單電源，有輸出耦合電容。如圖所示電路中的R5（150kΩ）與R4（4.7kΩ）電阻決定放大器閉環增益，R4電阻越小增益越大，但增益太大也容易導致信...
當信號電壓是正半周的時候，VT1正向導通，VT2截止，+VCC通過VT1的c-e結，流過負...當信號電壓是正半周的時候，VT1正向導通，VT2截止，+VCC通過VT1的c-e結，流過負載，從而在負載上得到放大后的正半周信號；當信號電壓是負半周的時候，VT1截止，VT...
