如圖1所示，使用了P溝道的內(nèi)置二極管的電路，此處二極管的主要作用是續(xù)流作用，...如圖1所示，使用了P溝道的內(nèi)置二極管的電路，此處二極管的主要作用是續(xù)流作用，電路是鋰電池充放電電路，當(dāng)外部電源斷開時采用鋰電池進行內(nèi)部供電，即+5V電源斷開...
3n150代替型號KNL42150A 3A1500V 產(chǎn)品特性： 高速開關(guān) RDS(ON),typ.=6.5Ω@...3n150代替型號KNL42150A 3A1500V 產(chǎn)品特性： 高速開關(guān) RDS(ON),typ.=6.5Ω@VGS=10V 全隔離塑料包裝 應(yīng)用程序： 切換應(yīng)用程序
PMOS管-3.5A-20V KIA2305產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3...PMOS管-3.5A-20V KIA2305產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A VDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A VDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@V...
為提高大功率電源SiP 效率，一般將傳統(tǒng)開關(guān)電源拓撲中的續(xù)流二極管同步MOSFET ...為提高大功率電源SiP 效率，一般將傳統(tǒng)開關(guān)電源拓撲中的續(xù)流二極管同步MOSFET 取代形成如圖1 所示的同步開關(guān)電源拓撲，2 個MOSFET Q1 和Q2 形成半橋結(jié)構(gòu)。MOSFET ...
KIA3423采用先進的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS，低柵極充電門極電壓低至2.5V。該器...KIA3423采用先進的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS，低柵極充電門極電壓低至2.5V。該器件適合用作負載開關(guān)或用于脈寬調(diào)制應(yīng)用。KIA3423是不含鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范...
尖峰電流的形成： 數(shù)字電路輸出高電平時從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時灌...尖峰電流的形成： 數(shù)字電路輸出高電平時從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時灌入的電流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下圖的TTL與非門為例說明尖峰電流...
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