當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加...當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng)，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的...
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來(lái)的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的...
在交流電路中，由電源供給負(fù)載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無(wú)功功率...在交流電路中，由電源供給負(fù)載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無(wú)功功率。電壓電流同相位，電源向負(fù)載供電，負(fù)載把電能轉(zhuǎn)換成其他能量，叫有功。電壓電流不...
在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個(gè)位...在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個(gè)位置的有力競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，它們的數(shù)據(jù)資料中通常標(biāo)明特定額定電壓、結(jié)溫和柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的...
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開(kāi)關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這...在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開(kāi)關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時(shí)。在需要電流隔離的應(yīng)用中，也可使用...
此經(jīng)典電路優(yōu)點(diǎn)比較明顯，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好；同時(shí)此電路也...此經(jīng)典電路優(yōu)點(diǎn)比較明顯，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好；同時(shí)此電路也有缺點(diǎn)，輸入交流電范圍窄（一般是220VAC±5%），體積重量大；雖然此電路缺點(diǎn)明顯目...
