在半導體內，多數載流子和少數載流子兩種極性的載流子（空穴和電子）都參與有源...在半導體內，多數載流子和少數載流子兩種極性的載流子（空穴和電子）都參與有源元件的導電，如通常的NPN或PNP雙極型晶體管。以這類晶體管為基礎的單片集成電路，稱...
反相器又稱“非”門電路，NMOS反相器如圖1所示。圖中T1為輸入器件也稱驅動管；...反相器又稱“非”門電路，NMOS反相器如圖1所示。圖中T1為輸入器件也稱驅動管；T2的柵極與漏極相聯，作為T1漏極的負載電阻，故稱負載管。由于使用集成電路制造工藝...
電路結構：Ui是直流輸入電壓，Uo為直流輸出變壓，T為高頻變壓器，Np為一次繞組...電路結構：Ui是直流輸入電壓，Uo為直流輸出變壓，T為高頻變壓器，Np為一次繞組，Ns為二次繞組，V為功率開關管MOSFET，VD為輸出二極管，C為輸出濾波電容。
在反相比例運算電路中，電路輸入信號ui總是經過一個電阻R1接到反相輸入端，輸出...在反相比例運算電路中，電路輸入信號ui總是經過一個電阻R1接到反相輸入端，輸出信號uo經過一個電阻RF反饋到反相輸入端，如圖1（a）所示。
改善濾波特性的方法：采取多級濾波。如： RC–型濾波電路：在電容濾波后再接一...改善濾波特性的方法：采取多級濾波。如： RC–型濾波電路：在電容濾波后再接一級RC濾波電路。 L-C型濾波電路：在電感濾波后面再接一電容。 LC–型濾波電路：在電容...
Rds(on)是MOS管導通時，D極和S極之間的內生電阻，它的存在會產生壓降，所以越小...Rds(on)是MOS管導通時，D極和S極之間的內生電阻，它的存在會產生壓降，所以越小越好。D極與S極間電流Id最大時完全導通。在圖中可以看到Vgs=10v完全導通，電阻Rds=...
