一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)...一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提，偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)。如圖圖1，這是一個(gè)MOSFET放大器的最基本電路。
產(chǎn)生反型層或者使反型層消失，這都可以利用柵極電壓來(lái)加以控制。使反型層產(chǎn)生或...產(chǎn)生反型層或者使反型層消失，這都可以利用柵極電壓來(lái)加以控制。使反型層產(chǎn)生或者消失時(shí)的柵極電壓就是器件的閾值電壓VT。對(duì)于增強(qiáng)型器件，該閾值電壓稱為開啟電壓...
跨導(dǎo)gm（Transconductance）是電子元件的一項(xiàng)屬性。電導(dǎo)（G）是電阻（R）的倒數(shù)...跨導(dǎo)gm（Transconductance）是電子元件的一項(xiàng)屬性。電導(dǎo)（G）是電阻（R）的倒數(shù)；而跨導(dǎo)則指輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值。
1. 與SUB襯底(工藝中為N-Well / P-Well)聯(lián)接的一端均為S源極，另一端為D漏極。...1. 與SUB襯底(工藝中為N-Well / P-Well)聯(lián)接的一端均為S源極，另一端為D漏極。符號(hào)中三橫線表示三溝道，相聯(lián)的兩條對(duì)應(yīng)一端必為S源極；
電路連接中，NPN三極管的B基極一般是控制腳，C集電極接VCC，E發(fā)射極接GND；PNP...電路連接中，NPN三極管的B基極一般是控制腳，C集電極接VCC，E發(fā)射極接GND；PNP三極管的B基極一般是控制腳，C集電極接GND，E發(fā)射極接VCC。
PMOS和NMOS器件并聯(lián)連接在一起我們可以創(chuàng)建一個(gè)基本的雙邊CMOS開關(guān)，通常稱為“...PMOS和NMOS器件并聯(lián)連接在一起我們可以創(chuàng)建一個(gè)基本的雙邊CMOS開關(guān)，通常稱為“傳輸門”。注意，傳輸門與傳統(tǒng)的CMOS邏輯門完全不同，因?yàn)閭鬏旈T是對(duì)稱的，或雙邊的...
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