在理想情況下，當電容器安裝在直流電壓電源上時，根據電容隔直通交的特性，沒有...在理想情況下，當電容器安裝在直流電壓電源上時，根據電容隔直通交的特性，沒有電流會流向電容器。但是，如果電容兩端的實際電壓不是單純的直流電壓時，比如電壓有...
電流紋波率：?I/IL=?I/Io,因為?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I變小或者...電流紋波率：?I/IL=?I/Io,因為?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I變小或者接近于零，需要電感磁芯的處理能力大于等于電感儲存的能量，磁芯體積與處理能力成正...
輸入濾波電容C上的波形如上圖中的紅線所示，當然這是理想情況下的波形，即忽略...輸入濾波電容C上的波形如上圖中的紅線所示，當然這是理想情況下的波形，即忽略了整流二極管的內阻。ΔV為電壓紋波大小，它根據負載的要求而定義。
一個具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個示例中，驅動器IC的供電電壓等于...一個具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個示例中，驅動器IC的供電電壓等于V1、V2之和，而MOSFET的柵極驅動電壓為導通狀態下的+V1和關斷狀態下的–V2（相對于M...
在開關期間，晶體管會處于同時施加了高電壓和高電流的狀態。根據歐姆定律，這將...在開關期間，晶體管會處于同時施加了高電壓和高電流的狀態。根據歐姆定律，這將導致一定的損耗，具體取決于這些狀態的持續時間（參見圖2）。目標是要較大程度地減...
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態半導體器件，且都屬于電壓控制器件。另外...MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態半導體器件，且都屬于電壓控制器件。另外，IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣，兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在...
