KCY3206B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流100A，使用先進的SGT MOSFET技術，...KCY3206B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流100A，使用先進的SGT MOSFET技術，高密度單元設計，實現(xiàn)?極低導通電阻RDS(on) 2.4mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導...
當正向電壓超過某一數(shù)值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導通電壓。...當正向電壓超過某一數(shù)值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導通電壓。在室溫下，硅管的V th約為0.5V，鍺管的V th約為0.1V。大于導通電壓的區(qū)域稱為導通區(qū)...
晶體管Q1與晶體、電容C1、C2、C3和電感L2一起形成高頻RF振蕩器，其頻率由晶體的...晶體管Q1與晶體、電容C1、C2、C3和電感L2一起形成高頻RF振蕩器，其頻率由晶體的第3個泛音值決定。由于使用了晶體，因此頻率穩(wěn)定無變化。 Q2晶體管與C8、L4也形成...
KCT1808A場效應管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，使用先進的SGT技術，極低導通...KCT1808A場效應管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，使用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(on) 1.25mΩ，優(yōu)秀的柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，高效穩(wěn)定；適用于...
在電路中，使用了調諧集電極振蕩器（L1使用C1和C2）。調諧集電極振蕩器使用集電...在電路中，使用了調諧集電極振蕩器（L1使用C1和C2）。調諧集電極振蕩器使用集電極電路中的并聯(lián)L-C電路作為負載，該電路決定振蕩的頻率。調諧電路兩端產生的輸出電...
無線充電器通過在發(fā)送端和接收端各安置一個線圈，發(fā)送端線圈在電力的作用下向外...無線充電器通過在發(fā)送端和接收端各安置一個線圈，發(fā)送端線圈在電力的作用下向外界發(fā)出電磁信號，接收端線圈收到電磁信號并將其轉變?yōu)殡娏鳎瑥亩_到無線充電的目的...
