如圖所示，負載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個邏輯高電平，則N-MOSFET導...如圖所示，負載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個邏輯高電平，則N-MOSFET導通，負載得電；在其柵極加一個邏輯低電平，則N-MOSFET關斷，負載失電。
當開關S1閉合時，繼電器的線圈通電，電源+V經過電感L1，向N1 N2（變壓器）的中...當開關S1閉合時，繼電器的線圈通電，電源+V經過電感L1，向N1 N2（變壓器）的中抽頭進行供電，此外，電流還會C1和R2（電阻）流向N3、N4的中抽頭。
KNB2904A場效應管參數性能優越，具有優異的RDSON和柵極電荷；漏源擊穿電壓40V，...KNB2904A場效應管參數性能優越，具有優異的RDSON和柵極電荷；漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效...
接通電源后，220V市電電壓經VD503～VD506整流、C507濾波，在濾波電容C507兩端得...接通電源后，220V市電電壓經VD503～VD506整流、C507濾波，在濾波電容C507兩端得到近300V直流電壓，通過開關變壓器T511的3-7繞組加到開關管VT513的集電極。
通過級聯多個放大器，每個放大器的增益都比前一個放大器大，從而實現對輸入信號...通過級聯多個放大器，每個放大器的增益都比前一個放大器大，從而實現對輸入信號的放大。每個放大器的輸出信號經過濾波和校正后，再輸入到下一個放大器進行放大。最...
KCD9310A場效應管采用SGT MOSFET技術制造，漏源擊穿電壓100V，漏極電流42A；專...KCD9310A場效應管采用SGT MOSFET技術制造，漏源擊穿電壓100V，漏極電流42A；專有新型平面技術，提供優異的RDSON和柵極電荷；低導通電阻RDS(開啟) 15mΩ，超低柵極...
