當集成電路任意兩個輸入/輸出引腳之間發生ESD事件時，集成電路內部的ESD防護系...當集成電路任意兩個輸入/輸出引腳之間發生ESD事件時，集成電路內部的ESD防護系統能及時開啟來泄放掉大量的瞬時電流/電壓,使內部電路免遭破壞。此外，在集成電路正...
下圖所示的放大器采用背靠背二極管來為器件提供ESD保護，采用3.3 V電源供電時，...下圖所示的放大器采用背靠背二極管來為器件提供ESD保護，采用3.3 V電源供電時，其允許電壓最高達到70 V。D4和D5是高壓二極管，用于應對輸入引腳上可能存在的高電壓...
鋰電池保護MOS管熱銷-KNX2912A，采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS(導通)、低...鋰電池保護MOS管熱銷-KNX2912A，采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS(導通)、低柵極電荷。可用于多種應用。
下圖是一個放大器實例，二極管連接在輸入引腳和電源之間。在正常工作條件下，二...下圖是一個放大器實例，二極管連接在輸入引腳和電源之間。在正常工作條件下，二極管反偏，但當輸入高于正電源電壓或低于負電源電壓時，二極管變為正偏。當二極管變...
運放的內部防護主要分為三類 1）運放輸入端接了二極管防護-A類（如下圖2圖）...運放的內部防護主要分為三類 1）運放輸入端接了二極管防護-A類（如下圖2圖） 2）運放沒有任何的防護措施-B類 3）運放輸入端在接保護電阻的同時還串聯了電阻-...
KCX3010A N溝道增強型功率MOSFET，采用先進的雙溝道降低導通損耗、提高開關性能...KCX3010A N溝道增強型功率MOSFET，采用先進的雙溝道降低導通損耗、提高開關性能和增強雪崩能量。這是適用于電機驅動器和高速開關應用的設備。
