KNH9120A場(chǎng)效應(yīng)管采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS（...KNH9120A場(chǎng)效應(yīng)管采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗和發(fā)熱，具有低柵極電...
MOSFET的關(guān)斷時(shí)間與其柵極電容（Cgs）有關(guān)。減小柵極電容可以減少充放電時(shí)間，...MOSFET的關(guān)斷時(shí)間與其柵極電容（Cgs）有關(guān)。減小柵極電容可以減少充放電時(shí)間，從而加速關(guān)斷過(guò)程。這可以通過(guò)優(yōu)化布局、使用更小的柵極面積或選擇具有更低柵極電容...
提高驅(qū)動(dòng)電路提供的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流，增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可以加速M(fèi)OSFET的開(kāi)啟和關(guān)...提高驅(qū)動(dòng)電路提供的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流，增大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可以加速M(fèi)OSFET的開(kāi)啟和關(guān)斷過(guò)程。減小柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg可以提供更大的瞬態(tài)電流，從而加快MOSFET的開(kāi)關(guān)速度。而...
KNF4390A采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓900V，漏極電流4A，能夠承受高達(dá)9...KNF4390A采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓900V，漏極電流4A，能夠承受高達(dá)900伏特的電壓，適用于需要高耐壓的應(yīng)用場(chǎng)景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低...
如果不太懂電源設(shè)計(jì)，又需要多路電源隔離輸出，那么這個(gè)電路方案肯定能用的上，...如果不太懂電源設(shè)計(jì)，又需要多路電源隔離輸出，那么這個(gè)電路方案肯定能用的上，調(diào)試簡(jiǎn)單，拓?fù)湟埠?jiǎn)單，繞變壓器不需要算氣隙，直接計(jì)算匝數(shù)就可以了，簡(jiǎn)單實(shí)用。實(shí)...
.在布局之前首先需要查找對(duì)應(yīng)的電源IC手冊(cè)，一般芯片手冊(cè)里面會(huì)包含有最基本的....在布局之前首先需要查找對(duì)應(yīng)的電源IC手冊(cè)，一般芯片手冊(cè)里面會(huì)包含有最基本的電源電壓電流信息和管腳信息，以及l(fā)ayout guide，如果存在layout guide則按照里面的...
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