制作反極性保護(hù)電路的正確方法是使用簡單的PMOS或NMOS。建議使用PMOS，因?yàn)镻MO...制作反極性保護(hù)電路的正確方法是使用簡單的PMOS或NMOS。建議使用PMOS，因?yàn)镻MOS會切斷正軌，電路不會獲得任何電壓，如果電路在高直流電壓下工作，則產(chǎn)生有害后果的...
KIA830H場效應(yīng)管可以替代irf830,5n50型號應(yīng)用在HD安定器、適配器、充電器和SMP...KIA830H場效應(yīng)管可以替代irf830,5n50型號應(yīng)用在HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中；KIA830H性能出色，漏源電壓500V，漏極電流5A，開啟狀態(tài)下的電阻為1.0Ω...
柵極（Gate,G）：控制MOSFET導(dǎo)通或截止的引腳。在NMOS中，當(dāng)柵極電壓高于源極電...柵極（Gate,G）：控制MOSFET導(dǎo)通或截止的引腳。在NMOS中，當(dāng)柵極電壓高于源極電壓一定閾值（Vth）時(shí)，MOSFET開始導(dǎo)通；在PMOS中，則是當(dāng)柵極電壓低于源極電壓一定...
全橋逆變器使用四個(gè)開關(guān)管，而半橋逆變器使用兩個(gè)開關(guān)管。和半橋相比，全橋的開...全橋逆變器使用四個(gè)開關(guān)管，而半橋逆變器使用兩個(gè)開關(guān)管。和半橋相比，全橋的開關(guān)管數(shù)量增加了一倍，但是在相同的開關(guān)電流下，全橋電路的輸出功率是半橋的兩倍。
如果沒有二極管，?當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，?電容的放電路徑會增加，?導(dǎo)致能量的不必...如果沒有二極管，?當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，?電容的放電路徑會增加，?導(dǎo)致能量的不必要損失，?降低電路效率。?二極管的加入有效地阻止了這種能量損失，?提高了電路的...
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值...nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。...
<ul id="ou8ay"></ul>