KIA50N03BD場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽工藝技術，高...KIA50N03BD場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽工藝技術，高密度電池設計，具有超低導通電阻RDS(開啟) 6.5mΩ，最大限度地減少導電損耗，完全表...
因為注入方向和晶圓有一定傾角后，注入離子與晶圓內部的原子碰撞概率提高，而抑...因為注入方向和晶圓有一定傾角后，注入離子與晶圓內部的原子碰撞概率提高，而抑制了隧道效應的產(chǎn)生。 為什么一定是7°傾角呢？如果傾角過大，帶膠注入時，離子被...
對于短溝道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距離太近，導致Channel的能帶...對于短溝道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距離太近，導致Channel的能帶被向下拉，因此導致了處于Cut-Off狀態(tài)下的器件leakage會增大（因為溝道的勢壘降低了...
鋰電池保護板專用MOS管KNG3703A漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽...鋰電池保護板專用MOS管KNG3703A漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽工藝技術，高密度電池設計，具有超低導通電阻RDS(開啟) 7.5mΩ，低柵極電荷，最大限...
二極管 D1 工作在正向偏置狀態(tài)，這反過來又給電容器 C2 充電，直到達到輸入電源...二極管 D1 工作在正向偏置狀態(tài)，這反過來又給電容器 C2 充電，直到達到輸入電源電壓的峰值，此時電容器 C2 就像串聯(lián)在電源上的電池一樣旋轉。在相同的時間段內，由...
電源采用PM4020A驅動模塊設計，具體的器件和變壓器可參考電路圖。注意設計時候...電源采用PM4020A驅動模塊設計，具體的器件和變壓器可參考電路圖。注意設計時候應該考慮 PM4020A驅動模塊應和四個IRFP460盡量靠近。
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