Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時(shí)刻。輸...Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時(shí)刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)刻 td(on)：MOS導(dǎo)通延遲時(shí)刻，從有駛?cè)腚妷荷仙?..
向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容...向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路). Tf :下降時(shí)刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 9...
MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconduct...MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說(shuō)，這個(gè)名字描寫(xiě)了集成電路中MOS管的構(gòu)造，即：在一...
MOS管功放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，安全可靠...MOS管功放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，安全可靠，且有工作頻率高，偏置簡(jiǎn)略等長(zhǎng)處。 MOS管主驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與MOS管的柵極電銜接，...
?N溝MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)構(gòu)造的晶體管簡(jiǎn)...?N溝MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)構(gòu)造的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而P...
?MOS管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管...?MOS管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他...
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