在驅(qū)動(dòng)MOS晶體管Q2導(dǎo)通期間的開(kāi)始部分，D1和S2將導(dǎo)通。但是當(dāng)Ql已經(jīng)關(guān)斷并且基...在驅(qū)動(dòng)MOS晶體管Q2導(dǎo)通期間的開(kāi)始部分，D1和S2將導(dǎo)通。但是當(dāng)Ql已經(jīng)關(guān)斷并且基—射結(jié)間的恢復(fù)電流已經(jīng)變?yōu)榱愕臅r(shí)候，在繞組P2的電壓通過(guò)R1使Dl和S2反偏關(guān)斷。所有...
功率開(kāi)關(guān)管的種類(lèi)很多，如巨型晶體管GTR、快速晶閘管SCR、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管GTO...功率開(kāi)關(guān)管的種類(lèi)很多，如巨型晶體管GTR、快速晶閘管SCR、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管GTO、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管P- MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等。雙極結(jié)型晶體管( BJT)是一...
由于在柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系，MOS器件的輸入阻抗非常高，此一...由于在柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系，MOS器件的輸入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的應(yīng)用相當(dāng)引人注目，因?yàn)楦咻斎胱杩沟年P(guān)系，柵極漏電流非常...
在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及...在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴(kuò)散步驟，以便在襯底中形成“阱”或“盆(tub)”．阱中的摻雜種類(lèi)與周?chē)r底不同．...
單片MOS開(kāi)關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開(kāi)關(guān)電源電路簡(jiǎn)單...單片MOS開(kāi)關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開(kāi)關(guān)電源電路簡(jiǎn)單、所用元件少，輸出與輸人間有電氣隔離，能方便地實(shí)現(xiàn)多路輸出，開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，所...
導(dǎo)通瞬間基極過(guò)驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個(gè)持...導(dǎo)通瞬間基極過(guò)驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短且峰值約為導(dǎo)通期間平均值2～3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續(xù)時(shí)...
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