在強反型狀態(tài)下飽和區(qū)中的工作 ?? ?小信號參數(shù)的值因MOS晶體管的工作...在強反型狀態(tài)下飽和區(qū)中的工作 ?? ?小信號參數(shù)的值因MOS晶體管的工作區(qū)域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態(tài)，而且工作在飽和...
VMOS之所以能成為MOSFET乃至FET的應(yīng)用主流，主要緣由是低電壓規(guī)格的飽和導(dǎo)通電...VMOS之所以能成為MOSFET乃至FET的應(yīng)用主流，主要緣由是低電壓規(guī)格的飽和導(dǎo)通電阻十分低，遠低于二極管的壓降，在低壓大電流的應(yīng)用中具有無可比較的優(yōu)勢，也是便攜...
柵極接地放大電路 ? ?如表3.1所示，所謂柵極接地放大電路，就是在柵極...柵極接地放大電路 ? ?如表3.1所示，所謂柵極接地放大電路，就是在柵極固定為一定電位的狀態(tài)下，輸入信號加到源極上，從漏極取出輸出信號的電路。 ?...
小信號等效電路 模仿電路解析包括直流解析和交... 小信號等效電路 模仿電路解析包括直流解析和交流小信號解析。這里導(dǎo)入小信號解析時所需要的小信號等效電路。小信號等效電路模型是...
MOS晶體管的噪聲 MOS晶體管自身產(chǎn)生的噪聲中，特別重要的是熱噪聲和閃爍...MOS晶體管的噪聲 MOS晶體管自身產(chǎn)生的噪聲中，特別重要的是熱噪聲和閃爍噪聲（1／f噪聲）。 溝道電阻產(chǎn)生的熱噪聲 ? ?電子在電阻巾作...
由于MOS晶體管M1的源極與基底都接地，所以不發(fā)作襯底偏置效應(yīng)。而M2源極的電位...由于MOS晶體管M1的源極與基底都接地，所以不發(fā)作襯底偏置效應(yīng)。而M2源極的電位VS比接地的基底的電位VB=0要高，這就意味著VSB>0。其結(jié)果，M2發(fā)作基底偏置效應(yīng)，使M...
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