KIA半導體推出碳化硅二極管（SiC diode）
信息來源：KIA半導體 日期：2016-03-19
為了滿足嚴格的最新效率規范（能源之星、80Plus、歐洲能源效率）的要求，電源設計者必須考慮使用新型功率轉換器拓撲和效率更高的電子元件，例如高壓碳化硅（SiC）二極管。
KIA半導體的SiC二極管利用了碳化硅出色的物理特性，其動態反向恢復特性比硅好4倍、正向導通電壓VF比它低15%。
在硬開關應用中，比如高端服務器和通訊電源，SiC肖特基二極管大幅降低了功率損耗，并且得到了廣泛使用。它們還越來越多地被應用到太陽能逆變器、電機驅動器、不間斷電源（UPS）和電動車（EV）之中。
KIA半導體推出了全套SiC二極管，其電壓范圍為600 ~ 1700 V。這些產品提供多種封裝選項，讓設計者能夠靈活提高效率和可靠性，加快產品面市步伐，削減成本。
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