6165A現貨供應商 KIA6165A 10A/650V PDF文件下載-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-03-15
1、KNX6165A產品描述
KNX6165A通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器
2、KNX6165A產品特征
符合RoHS
RDS（ON），典型值= 0.6Ω@ VGS=10v
低門電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
3、KNX6165A產品參數
產品型號：KNX6165A
工作方式：10A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：10A
脈沖漏極電流：40A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：216W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：650V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1554PF
輸出電容：153PF
上升時間：31ns
封裝形式：TO-220、220F
4、KNX6165A產品規格
 |
KNX6165A |
| 產品編號 | KNX6165A 10A/650V |
| 產品特征 |
符合RoHS RDS（ON），典型值= 0.6Ω@ VGS=10v 低門電荷最小化開關損耗 快速恢復體二極管 |
| 產品描述 |
KNX6165A通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器 |
| 封裝形式 | TO-220、220F |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | m.52yitang.com |
| PDF頁總數 | 總7頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。
關注「KIA半導體」，做優秀工程師！
長按二維碼識別關注
閱讀原文可一鍵關注+技術總匯
<ul id="ou8ay"></ul>