KIA8150參數(shù)指標(biāo)

特征

先進(jìn)的平面工藝

RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V

低門(mén)負(fù)責(zé)減少開(kāi)關(guān)損耗

堅(jiān)固的多晶硅柵結(jié)構(gòu)

應(yīng)用

無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)

電焊機(jī)

高效開(kāi)關(guān)電源

參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)：KIA8150

工作方式：30A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：30A

脈沖漏極電流：18A

雪崩能量：120A

耗散功率：333W

熱電阻：50℃/W

漏源擊穿電壓：500V

柵極閾值電壓：2.5V

輸入電容：4150 PF

輸出電容：500 PF

上升時(shí)間：114ns

封裝形式：TO-3P

	KNH8150
產(chǎn)品編號(hào)	KNF8150（30A 500V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品特征	先進(jìn)的平面工藝 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低門(mén)負(fù)責(zé)減少開(kāi)關(guān)損耗堅(jiān)固的多晶硅柵結(jié)構(gòu)
適用范圍	主要適用于無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電焊機(jī)、高效開(kāi)關(guān)電源
封裝形式	TO-3P
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	m.52yitang.com
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