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8150原廠MOS管-KNF8150 30A/500V-KNF8150 PDF文件-KIA官網

信息來源:本站 日期:2018-02-15 

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KIA8150參數指標

特征

進的平面工藝

RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V

低門負責減少開關損耗

堅固的多晶硅柵結構


應用

無刷直流電機驅動

電焊機

高效開關電源


參數

產品型號:KIA8150

工作方式:30A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:30A

脈沖漏極電流:18A

雪崩能量:120A

耗散功率:333W

熱電阻:50℃/W

漏源擊穿電壓:500V

柵極閾值電壓:2.5V

輸入電容:4150 PF

輸出電容:500 PF

上升時間:114ns

封裝形式:TO-3P



KNH8150
產品編號 KNF8150(30A 500V
FET極性 N溝道MOSFET
產品特征

先進的平面工藝

RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V

低門負責減少開關損耗

堅固的多晶硅柵結構

適用范圍

主要適用于無刷直流電機驅動、電焊機、高效開關電源

封裝形式 TO-3P
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LOGO
廠家 KIA原廠家
網址 m.52yitang.com
PDF頁總數 總8頁

聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

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