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100N03A供應商 KIA100N03A PDF文件 100N03A參數資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-01-23 

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100N03A參數概述

KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對的阻力,提供優越的。

開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源,有源功率因數校正。基于半橋拓撲。


特征:

RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V

dv / dt的能力提高

快速開關

綠色環保


參數:

漏源電壓(vdss):30V

柵源電壓(vgss):±20V

連續漏電流:(ld):90A

脈沖漏極電流:360A

雪崩電流:50A

雪崩能量:125mJ

耗散功率(pd):88W

熱電阻:60℃/W

漏源擊穿電壓:30V

柵極閾值電壓(min):1.2V

溫度系數:-5mV/℃



KIA100N03A(90A 30V)
產品編號

100N03A/AB/AD/AP/AU

產品工藝 KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對的阻力,提供優越的。
產品特征


RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V

dv / dt的能力提高

快速開關

綠色環保

適用范圍 適用于高效率開關電源,有源功率因數校正、
封裝形式 TO-251、TO-252、TO-263、TO-220
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廠家 KIA原廠家
網址 m.52yitang.com
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