4n65場效應管參數,650v4a,to252,KND4365A代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-04
4n65場效應管代換型號KND4365A漏源擊穿電壓為650V，漏極電流4A，極低導通電阻RDS(開啟) 2Ω，最大限度地減少導電損耗，有效降低損耗，提高電路效率；還具有快速切換能力、經過100%雪崩測試、改進的dv/dt能力在電路切換時快速響應，能夠在高頻率下穩(wěn)定工作，性能優(yōu)越；廣泛應用于高頻開關模式電源、不間斷電源（UPS）、電子鎮(zhèn)流器等；封裝形式：TO-252，散熱良好。
漏源電壓：650V
漏極電流：4A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：16A
雪崩能量單脈沖：180MJ
功率耗散：55W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15.7nC
輸入電容：523PF
輸出電容：58.7PF
反向傳輸電容：9.855PF
開通延遲時間：12.1nS
關斷延遲時間：36.8nS
上升時間：14.9ns
下降時間：11.3ns
聯系方式：鄒先生
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