?70n06場效應管參數,60v70a,to263,KIA70N06-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-27
KIA70N06場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流70A，采用KIA專有的平面條狀DMOS技術制造，技術經過專門優化，有效降低導通狀態電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩模式和換向模式下承受高能量脈沖。70n06場效應管低導通電阻RDS(開啟) 0.015Ω，最大限度地減少導電損耗，還具有低柵極電荷、低漏電、快速開關、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，性能穩定可靠；廣泛應用于汽車電子、直流/直流轉換器等低壓應用領域，以及便攜式和電池供電設備的高效開關功率管理；封裝形式：TO-263。
漏源電壓：60V
漏極電流：70A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：260A
單脈沖雪崩能量：650MJ
功率耗散：150W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：40nC
輸入電容：2000PF
輸出電容：450PF
反向傳輸電容：32.5PF
開通延遲時間：12nS
關斷延遲時間：41nS
上升時間：33ns
下降時間：12ns
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