350v場效應管,6035場效應管,to220,KIA6035AP參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-22
KIA6035AP場效應管漏源擊穿電壓350V，漏極電流11A，采用先進的平面條紋DMOS技術制造，低導通電阻RDS(開啟) 0.6Ω，有效降低導通狀態電阻，提供卓越的開關性能；并在雪崩模式和換向模式下承受高能量脈沖。還具有低柵極電荷、高耐用性、快速開關能力、指定的雪崩能量和改進的dv/dt能力，在運行中高效穩定可靠；廣泛應用于高效開關電源，以及基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正系統等；封裝形式：TO-220，散熱良好。
漏源電壓：350V
漏極電流：11A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：36A
雪崩能量單脈沖：423MJ
最大功耗：99W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：15nC
輸入電容：844PF
輸出電容：162PF
反向傳輸電容：4PF
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：77nS
上升時間：23.5ns
下降時間：47.5ns
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