50n06d,?50n06場效應管參數引腳圖,KIA50N06D-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-21
KIA50N06D場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導通電阻RDS(開啟) 18mΩ，開關速度快，導通電阻低，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有超低柵極電荷（典型30nC）、低反向傳輸電容、快速開關能力以及指定100%雪崩能量、改進的dv/dt能力，在運行中高效穩定可靠；廣泛應用于電子鎮流器、低功率開關等；封裝形式：TO-252，散熱出色。
漏源電壓：60V
漏極電流：50A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：200A
單脈沖雪崩能量：480MJ
功率耗散：130W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：30nC
輸入電容：900PF
輸出電容：430PF
反向傳輸電容：80PF
開通延遲時間：40nS
關斷延遲時間：90nS
上升時間：100ns
下降時間：80ns
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