pmos與nmos的區(qū)別,工作原理詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-11
結構區(qū)別
NMOS：以P型半導體為襯底，兩側為N型擴散區(qū)（源極S與漏極D），形成N型導電溝道。
PMOS：以N型半導體為襯底，兩側為P型擴散區(qū)，形成P型導電溝道。
符號區(qū)別
NMOS符號：箭頭指向柵極（G），表示襯底與N溝道的PN結方向。
PMOS符號：箭頭背向柵極，表示溝道與襯底的PN結方向。
導通特性區(qū)別
導通條件：
NMOS：柵源電壓VGS>閾值電壓（正電壓），例如VGS＞2.5V時導通。
PMOS：柵源電壓VGS<閾值電壓（負電壓），例如VGS〈-2.5V時導通。
電流方向：
NMOS電流從漏極（D）流向源極（S）。
PMOS電流從源極（S）流向漏極（D）。
工作原理
NMOS的工作原理是通過控制柵極的電壓來控制MOS管的開關，它是利用P型半導體里少量自由電子移動，形成N溝道進行工作的。它的導通電壓VGS要大于一定值才會導通。
而PMOS正相反，它是利用N型半導體里的空穴移動進行工作。
原理是給柵極施加負電壓，N型區(qū)的電子就會被排斥遠離絕緣層，而空穴則會被吸引形成P溝道，所以它的VGS要小于一定值才會導通。
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