-100a-40v pmos,3204場效應管,KPD3204B參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-17
KPD3204B場效應管漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，采用先進的高單元密度溝槽技術制造，極低導通電阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低柵極電荷，減少開關損耗，高效率低損耗；100%EAS保證、dV/dt效應顯著下降，穩定可靠，綠色設備可用，性能優越；封裝形式：TO-252，體積小、散熱出色。
漏源電壓：-40V
漏極電流：-100A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-300A
雪崩能量單脈沖：361MJ
總功耗：83W
總柵極電荷：148nC
閾值電壓：-1.8V
輸入電容：6760PF
輸出電容：650PF
反向傳輸電容：440PF
開通延遲時間：15nS
關斷延遲時間：70nS
上升時間：16ns
下降時間：30ns
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