pmos的開(kāi)啟電壓,pmos管的導(dǎo)通條件-KIA MOS管

pmos是低電壓開(kāi)啟嗎？

pmos是低電壓開(kāi)啟的，其導(dǎo)通條件是柵極電壓（Vgs）低于閾值電壓（通常為負(fù)值），即柵極相對(duì)于源極為負(fù)電壓時(shí)導(dǎo)通。

pmos的開(kāi)啟電壓是多少？

pmos管的開(kāi)通電壓為負(fù)值，通常在-5V至-10V范圍內(nèi)。

pmos管開(kāi)通條件在于柵源電壓(VGs）需滿足：

1.電壓差要求

當(dāng)VGs為負(fù)值（即源極電壓Vs高于柵極電壓VG）時(shí)，pmos管導(dǎo)通。

具體閾值范圍通常為-5V至-10V，具體數(shù)值需參考器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中的閾值電壓（VGs(th))。

2.應(yīng)用場(chǎng)景限制

由于pmos的源極通常接高電位（如電源Vcc），而柵極需通過(guò)負(fù)壓控制以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，這增加了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。

在高端驅(qū)動(dòng)電路中，若漏極與源極電壓相同（如Vcc），則需確保柵極電壓低于源極約4V至10V。

3.參數(shù)影響

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）隨VGs絕對(duì)值的增加而降低，但需避免超過(guò)器件最大承受電壓。

寄生電容（如Cgd）可能影響開(kāi)關(guān)速度，需通過(guò)外部電路優(yōu)化(如添加驅(qū)動(dòng)電阻或負(fù)壓電路）。

pmos,開(kāi)啟電壓,導(dǎo)通條件

pmos管的導(dǎo)通條件

柵極電壓（Vgs）小于源極電壓（Vs），即：Vgs=Vg-Vs

工作模式條件

根據(jù)PMOS管的工作模式，其導(dǎo)通條件可以進(jìn)一步細(xì)分：

1.線性區(qū)（放大區(qū)）

條件：VgsVgs-VthVgsVgs-Vth

在這個(gè)區(qū)域，PMOS管的漏極電流與漏源電壓（Vds)成線性關(guān)系，類似于一個(gè)可控電阻。

2.飽和區(qū)（工作區(qū)）

條件：Vgs

在這個(gè)區(qū)域，漏極電流基本不隨漏源電壓變化，主要由柵源電壓控制。

KIA半導(dǎo)體MOS管廠家主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）、COOL MOS（超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管）、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管；廣泛應(yīng)用于逆變器、鋰電池保護(hù)板、電動(dòng)車控制器、HID車燈、LED燈、無(wú)刷電機(jī)、礦機(jī)電源、工業(yè)電源、適配器、3D打印機(jī)等領(lǐng)域；可申請(qǐng)免費(fèi)送樣以及報(bào)價(jià)、技術(shù)支持服務(wù)。

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