60R180場效應(yīng)管,20a600v mos管,KLF60R180BD參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-09
60R180場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 160mΩ，低柵極電荷Qg=33.5nC，減少開關(guān)損耗，提高效率；具備高耐用性、超快開關(guān)速度、100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，高效穩(wěn)定；在電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)、無刷直流電機(jī)控制中廣泛應(yīng)用；封裝形式：TO-220F，散熱出色。
漏源電壓：600V
漏極電流：20A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：55A
單脈沖雪崩能量：655MJ
功率耗散：36W
閾值電壓：3-5V
總柵極電荷：32.5nC
輸入電容：1300PF
反向傳輸電容：36PF
開通延遲時(shí)間：14nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：48nS
上升時(shí)間：10ns
下降時(shí)間：6ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號(hào)
關(guān)注官方微信公眾號(hào)：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
